VQ1001P-E3 - MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP

codice articolo del costruttore

VQ1001P-E3

Numero parte interna

ABC-VQ1001P-E3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

52767 Pieces

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Specifiche per VQ1001P-E3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : VQ1001P-E3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : 4 N-Channel

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 830mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.75 Ohm @ 200mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 110pF @ 15V

Potenza - Max : 2W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto / caso : -

Pacchetto dispositivo fornitore : 14-DIP

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : VQ1 , VQ100

Documenti per VQ1001P-E3

Schede tecniche : VQ1001P-E3.pdf

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