SIA519EDJ-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6

codice articolo del costruttore

SIA519EDJ-T1-GE3

Numero parte interna

ABC-SIA519EDJ-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

2686509 Pieces

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Specifiche per SIA519EDJ-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SIA519EDJ-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6

Serie : TrenchFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : N and P-Channel

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 350pF @ 10V

Potenza - Max : 7.8W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : PowerPAK® SC-70-6 Dual

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® SC-70-6 Dual

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SIA51 , SIA519ED

Documenti per SIA519EDJ-T1-GE3

Schede tecniche : SIA519EDJ-T1-GE3.pdf

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