GB05SLT12-252 - DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252

codice articolo del costruttore

GB05SLT12-252

Numero parte interna

ABC-GB05SLT12-252

fabbricante

GeneSiC Semiconductor

Breve descrizione

DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

214544 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per GB05SLT12-252

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : GB05SLT12-252

fabbricante : GeneSiC Semiconductor

Descrizione : DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252

Serie : -

Stato parte : Not For New Designs

Diodo : Silicon Carbide Schottky

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 1200V

Corrente: media rettificata (Io) : 5A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.8V @ 2A

Velocità : No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : 0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 50µA @ 1200V

Capacità @ Vr, F : 260pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-252

Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 175°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : GB05 , GB05SL

Documenti per GB05SLT12-252

Schede tecniche : GB05SLT12-252.pdf

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