FDS6699S - MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC

codice articolo del costruttore

FDS6699S

Numero parte interna

ABC-FDS6699S

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1005179 Pieces

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Specifiche per FDS6699S

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FDS6699S

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC

Serie : PowerTrench®, SyncFET™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 21A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.6 mOhm @ 21A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 91nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 3610pF @ 15V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.5W (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOIC

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per FDS6699S

Schede tecniche : FDS6699S.pdf

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