SIZ988DT-T1-GE3 - MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR

codice articolo del costruttore

SIZ988DT-T1-GE3

Numero parte interna

ABC-SIZ988DT-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1148903 Pieces

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Specifiche per SIZ988DT-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SIZ988DT-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR

Serie : TrenchFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Standard

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 40A (Tc), 60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.5 mOhm @ 10A, 10V, 4.1 mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V

Potenza - Max : 20.2W, 40W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-PowerPair®

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SIZ98 , SIZ988D

Documenti per SIZ988DT-T1-GE3

Schede tecniche : SIZ988DT-T1-GE3.pdf

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