PMF3800SN,115 - MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323

codice articolo del costruttore

PMF3800SN,115

Numero parte interna

ABC-PMF3800SN,115

fabbricante

NXP USA Inc.

Breve descrizione

MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

75132 Pieces

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Specifiche per PMF3800SN,115

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : PMF3800SN,115

fabbricante : NXP USA Inc.

Descrizione : MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323

Serie : TrenchMOS™

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 260mA (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 0.85nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 40pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 560mW (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-323-3

Pacchetto / caso : SC-70, SOT-323

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : PMF3 , PMF380

Documenti per PMF3800SN,115

Schede tecniche : PMF3800SN,115.pdf

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