IRFS11N50A - MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK

codice articolo del costruttore

IRFS11N50A

Numero parte interna

ABC-IRFS11N50A

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

101080 Pieces

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Specifiche per IRFS11N50A

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRFS11N50A

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 11A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 520 mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 52nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1423pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 170W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : D2PAK

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRF , IRFS1

Documenti per IRFS11N50A

Schede tecniche : IRFS11N50A.pdf

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