CSD86336Q3D - 25V POWERBLOCK N CH MOSFET

codice articolo del costruttore

CSD86336Q3D

Numero parte interna

ABC-CSD86336Q3D

fabbricante

T-I

Breve descrizione

25V POWERBLOCK N CH MOSFET

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

892367 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per CSD86336Q3D

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : CSD86336Q3D

fabbricante : T-I

Descrizione : 25V POWERBLOCK N CH MOSFET

Serie : NexFET™

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)

Caratteristica FET : Logic Level Gate, 5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss) : 25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 20A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.1 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V

Potenza - Max : 6W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 125°C

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-VSON (3.3x3.3)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : CSD , CSD86

Documenti per CSD86336Q3D

Schede tecniche : CSD86336Q3D.pdf

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