IRF6616TR1PBF - MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET

codice articolo del costruttore

IRF6616TR1PBF

Numero parte interna

ABC-IRF6616TR1PBF

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

42016 Pieces

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Specifiche per IRF6616TR1PBF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRF6616TR1PBF

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET

Serie : HEXFET®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 19A (Ta), 106A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.25V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 44nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 3765pF @ 20V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.8W (Ta), 89W (Tc)

temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : DIRECTFET™ MX

Pacchetto / caso : DirectFET™ Isometric MX

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRF6 , IRF661

Documenti per IRF6616TR1PBF

Schede tecniche : IRF6616TR1PBF.pdf

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