TSM6502CR RLG - MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN

codice articolo del costruttore

TSM6502CR RLG

Numero parte interna

ABC-TSM6502CR RLG

fabbricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descrizione

MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

2440438 Pieces

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Specifiche per TSM6502CR RLG

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TSM6502CR RLG

fabbricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descrizione : MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N and P-Channel

Caratteristica FET : Standard

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 24A (Tc), 18A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 34 mOhm @ 5.4A, 10V, 68 mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1159pF @ 30V, 930pF @ 30V

Potenza - Max : 40W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-PDFN (5x6)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : TSM6 , TSM650

Documenti per TSM6502CR RLG

Schede tecniche : TSM6502CR RLG.pdf

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