SIR618DP-T1-GE3 - MOSFET N-CH 200V 14.2A SO-8

codice articolo del costruttore

SIR618DP-T1-GE3

Numero parte interna

ABC-SIR618DP-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET N-CH 200V 14.2A SO-8

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

quantità disponibile

1196923 Pieces

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Specifiche per SIR618DP-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SIR618DP-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET N-CH 200V 14.2A SO-8

Serie : ThunderFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 14.2A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 7.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 95 mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 7.5V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 740pF @ 100V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 48W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® SO-8

Pacchetto / caso : PowerPAK® SO-8

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SIR61 , SIR618D

Documenti per SIR618DP-T1-GE3

Schede tecniche : SIR618DP-T1-GE3.pdf

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