APTM120DA30T1G - MOSFET N-CH 1200V 31A SP1

codice articolo del costruttore

APTM120DA30T1G

Numero parte interna

ABC-APTM120DA30T1G

fabbricante

Microsemi Corporation

Breve descrizione

MOSFET N-CH 1200V 31A SP1

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

74976 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per APTM120DA30T1G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : APTM120DA30T1G

fabbricante : Microsemi Corporation

Descrizione : MOSFET N-CH 1200V 31A SP1

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 1200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 31A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 360 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 560nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 14560pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 657W (Tc)

temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SP1

Pacchetto / caso : SP1

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : APTM , APTM120

Documenti per APTM120DA30T1G

Schede tecniche : APTM120DA30T1G.pdf

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