IXTN120P20T - MOSFET P-CH 200V 106A SOT-227

codice articolo del costruttore

IXTN120P20T

Numero parte interna

ABC-IXTN120P20T

fabbricante

IXYS

Breve descrizione

MOSFET P-CH 200V 106A SOT-227

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

82048 Pieces

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Specifiche per IXTN120P20T

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IXTN120P20T

fabbricante : IXYS

Descrizione : MOSFET P-CH 200V 106A SOT-227

Serie : TrenchP™

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 106A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 740nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 73000pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 830W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-227B

Pacchetto / caso : SOT-227-4, miniBLOC

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IXT , IXTN1

Documenti per IXTN120P20T

Schede tecniche : IXTN120P20T.pdf

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