ES1JLHM2G - DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

codice articolo del costruttore

ES1JLHM2G

Numero parte interna

ABC-ES1JLHM2G

fabbricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

8726333 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 0.03751~~

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Specifiche per ES1JLHM2G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : ES1JLHM2G

fabbricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descrizione : DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Serie : Automotive, AEC-Q101

Stato parte : Active

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V

Corrente: media rettificata (Io) : 1A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 1A

Velocità : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : 35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 5µA @ 600V

Capacità @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : DO-219AB

Pacchetto dispositivo fornitore : Sub SMA

Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 150°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : ES1 , ES1J

Documenti per ES1JLHM2G

Schede tecniche : ES1JLHM2G.pdf

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