RND030N20TL - MOSFET N-CH 200V 3A CPT3

codice articolo del costruttore

RND030N20TL

Numero parte interna

ABC-RND030N20TL

fabbricante

Rohm Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 200V 3A CPT3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

2291786 Pieces

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Specifiche per RND030N20TL

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : RND030N20TL

fabbricante : Rohm Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 200V 3A CPT3

Serie : -

Stato parte : Not For New Designs

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 870 mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5.2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 6.7nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 270pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 850mW (Ta), 20W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : CPT3

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : RND , RND03

Documenti per RND030N20TL

Schede tecniche : RND030N20TL.pdf

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