EMB10T2R - TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

codice articolo del costruttore

EMB10T2R

Numero parte interna

ABC-EMB10T2R

fabbricante

Rohm Semiconductor

Breve descrizione

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

6433903 Pieces

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Specifiche per EMB10T2R

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : EMB10T2R

fabbricante : Rohm Semiconductor

Descrizione : TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

Serie : -

Stato parte : Active

Transistor Type : 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collector (Ic) (Max) : 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 50V

Resistor - Base (R1) : 2.2 kOhms

Resistor - Emitter Base (R2) : 47 kOhms

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 80 @ 10mA, 5V

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Limite del collettore (max) : 500nA

Frequenza - Transizione : 250MHz

Potenza - Max : 150mW

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore : EMT6

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : EM , EMB1

Documenti per EMB10T2R

Schede tecniche : EMB10T2R.pdf

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