RQ6E055BNTCR - MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT

codice articolo del costruttore

RQ6E055BNTCR

Numero parte interna

ABC-RQ6E055BNTCR

fabbricante

Rohm Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

quantità disponibile

2953517 Pieces

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Specifiche per RQ6E055BNTCR

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : RQ6E055BNTCR

fabbricante : Rohm Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 5.5A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 8.6nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 355pF @ 15V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1.25W (Ta)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : TSMT6 (SC-95)

Pacchetto / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : RQ6E , RQ6E05

Documenti per RQ6E055BNTCR

Schede tecniche : RQ6E055BNTCR.pdf

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