2SK3666-3-TB-E - JFET N-CH 10MA 200MW 3CP

codice articolo del costruttore

2SK3666-3-TB-E

Numero parte interna

ABC-2SK3666-3-TB-E

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

JFET N-CH 10MA 200MW 3CP

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

6809334 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per 2SK3666-3-TB-E

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : 2SK3666-3-TB-E

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : JFET N-CH 10MA 200MW 3CP

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS) : -

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0) : 1.2mA @ 10V

Scarico corrente (Id) - max : 10mA

Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id : 180mV @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 4pF @ 10V

Resistenza - RDS (On) : 200 Ohms

Potenza - Max : 200mW

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore : 3-CP

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : 2SK3 , 2SK3666

Documenti per 2SK3666-3-TB-E

Schede tecniche : 2SK3666-3-TB-E.pdf

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