TSM1NB60CW RPG - MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223

codice articolo del costruttore

TSM1NB60CW RPG

Numero parte interna

ABC-TSM1NB60CW RPG

fabbricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descrizione

MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

3458987 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per TSM1NB60CW RPG

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TSM1NB60CW RPG

fabbricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descrizione : MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 6.1nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 138pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 39W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-223

Pacchetto / caso : TO-261-4, TO-261AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : TSM1 , TSM1NB6

Documenti per TSM1NB60CW RPG

Schede tecniche : TSM1NB60CW RPG.pdf

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