DMN3009SFGQ-13 - MOSFETN-CH 30VPOWERDI3333-8

codice articolo del costruttore

DMN3009SFGQ-13

Numero parte interna

ABC-DMN3009SFGQ-13

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFETN-CH 30VPOWERDI3333-8

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1337483 Pieces

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Specifiche per DMN3009SFGQ-13

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : DMN3009SFGQ-13

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFETN-CH 30VPOWERDI3333-8

Serie : Automotive, AEC-Q101

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 16A (Ta), 45A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 42nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2000pF @ 15V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 900mW (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerDI3333-8

Pacchetto / caso : 8-PowerVDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : DMN3 , DMN3009

Documenti per DMN3009SFGQ-13

Schede tecniche : DMN3009SFGQ-13.pdf

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