IXT-1-1N100S1 - MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC

codice articolo del costruttore

IXT-1-1N100S1

Numero parte interna

ABC-IXT-1-1N100S1

fabbricante

IXYS

Breve descrizione

MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

76590 Pieces

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Specifiche per IXT-1-1N100S1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IXT-1-1N100S1

fabbricante : IXYS

Descrizione : MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 1000V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1.5A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (massimo) : -

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : -

temperatura di esercizio : -

Tipo di montaggio : -

Pacchetto dispositivo fornitore : -

Pacchetto / caso : -

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IXT- , IXT-1-

Documenti per IXT-1-1N100S1

Schede tecniche : IXT-1-1N100S1.pdf

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