RW1A013ZPT2R - MOSFET P-CH 12V 1.5A WEMT6

codice articolo del costruttore

RW1A013ZPT2R

Numero parte interna

ABC-RW1A013ZPT2R

fabbricante

Rohm Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET P-CH 12V 1.5A WEMT6

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

5428717 Pieces

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Specifiche per RW1A013ZPT2R

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : RW1A013ZPT2R

fabbricante : Rohm Semiconductor

Descrizione : MOSFET P-CH 12V 1.5A WEMT6

Serie : -

Stato parte : Not For New Designs

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1.5A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 260 mOhm @ 1.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 2.4nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 290pF @ 6V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 400mW (Ta)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 6-WEMT

Pacchetto / caso : SOT-563, SOT-666

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : RW1A , RW1A01

Documenti per RW1A013ZPT2R

Schede tecniche : RW1A013ZPT2R.pdf

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