SIZF916DT-T1-GE3 - MOSFET N-CH DUAL 30V

codice articolo del costruttore

SIZF916DT-T1-GE3

Numero parte interna

ABC-SIZF916DT-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET N-CH DUAL 30V

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

844809 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per SIZF916DT-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SIZF916DT-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET N-CH DUAL 30V

Serie : TrenchFET® Gen IV

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Standard

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 23A (Ta), 40A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 10A, 10V, 1.25 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V, 95nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V

Potenza - Max : 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-PowerPair® (6x5)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SIZF9 , SIZF916D

Documenti per SIZF916DT-T1-GE3

Schede tecniche : SIZF916DT-T1-GE3.pdf

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