TK55S10N1,LQ - MOSFET N-CH 100V 55A DPAK

codice articolo del costruttore

TK55S10N1,LQ

Numero parte interna

ABC-TK55S10N1,LQ

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 55A DPAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

536858 Pieces

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Specifiche per TK55S10N1,LQ

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TK55S10N1,LQ

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 55A DPAK

Serie : U-MOSVIII-H

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 55A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.5 mOhm @ 27.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 500µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 49nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 3280pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 157W (Tc)

temperatura di esercizio : 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : DPAK+

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : TK55 , TK55S1

Documenti per TK55S10N1,LQ

Schede tecniche : TK55S10N1,LQ.pdf

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