VP2206N3-G - MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3

codice articolo del costruttore

VP2206N3-G

Numero parte interna

ABC-VP2206N3-G

fabbricante

Microchip Technology

Breve descrizione

MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

333998 Pieces

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Specifiche per VP2206N3-G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : VP2206N3-G

fabbricante : Microchip Technology

Descrizione : MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 640mA (Tj)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 450pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 740mW (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-92-3

Pacchetto / caso : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : VP2 , VP220

Documenti per VP2206N3-G

Schede tecniche : VP2206N3-G.pdf

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