TJ8S06M3L(T6L1,NQ) - MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3

codice articolo del costruttore

TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

Numero parte interna

ABC-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1416982 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 0.231~~

Il nostro prezzo

- (Vi preghiamo di contattarci per un prezzo migliore: [email protected])

ABC Semiconductor ha TJ8S06M3L(T6L1,NQ) in magazzino per la vendita. Possiamo spedire entro 1-2 giorni. Vi preghiamo di contattarci per un prezzo migliore per TJ8S06M3L(T6L1,NQ). La nostra email: [email protected]

Opzioni di spedizione e tempi di spedizione:: DHL: 2-3 days.; FEDEX: 2-3 days.; UPS: 2-4 days.; TNT: 3-5 days.; EMS: 5-8 days.; Normal Post: 10-15 days.

Opzioni di pagamento:: Paypal (Credit Card); Bank Transfer (Wire Transfer); Western Union; MoneyGram

Specifiche per TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3

Serie : U-MOSVI

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 8A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 104 mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 19nC @ 10V

Vgs (massimo) : +10V, -20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 890pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 27W (Tc)

temperatura di esercizio : 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : DPAK+

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : TJ8S06 , TJ8S06M3L

Documenti per TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

Schede tecniche : TJ8S06M3L(T6L1,NQ).pdf

Prodotti correlati per TJ8S06M3L(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage

Numero parte	Marca	Descrizione
WF135285WP50238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 20KV SCREW.
WF165336WQ75238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7500PF 22.5KV SCREW.
PZ0140WL10136CB1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 100PF 16KV DISK.
GRM0225C1E5R6DDAEL	Murata Electronics North America	Ceramic Capacitors 5.6PF 25V C0G/NP0 01005.
WF125420WN76238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7600PF 18KV SCREW.
WI140266WJ10336BJ2	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 10000PF 14KV SCREW.
BZ120055WC16136CB1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 160PF 9KV AXIAL.
WF135218WL40238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 4000PF 16KV SCREW.
WF165278WP60238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 6000PF 20KV SCREW.
WF135242BQ25236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 2500PF 25KV SCREW.
WF165270WL76238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7600PF 16KV SCREW.
WZ135285WP50236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 20KV.
WI140266WQ75236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7500PF 22.5KV SCREW.
WF135250WL50238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 16KV SCREW.
CDR35BP103BKUSAR	Vishay Vitramon	Ceramic Capacitors 10000PF 100V BP 1825.
WF165420WN10338BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 10000PF 18KV SCREW.
WF110250WJ47238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 4700PF 14KV SCREW.
WI140316WQ75236BJ2	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7500PF 22.5KV SCREW.
GRM1555C1E8R1CZ01D	Murata Electronics North America	Ceramic Capacitors 8.1PF 25V NP0 0402.
FPE210WV15236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 1500PF 30KV R85 AXIAL.