FQA10N80_F109 - MOSFET N-CH 800V 9.8A TO-3P

codice articolo del costruttore

FQA10N80_F109

Numero parte interna

ABC-FQA10N80_F109

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 800V 9.8A TO-3P

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

40800 Pieces

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Specifiche per FQA10N80_F109

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FQA10N80_F109

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 800V 9.8A TO-3P

Serie : QFET®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 9.8A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.05 Ohm @ 4.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 71nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2700pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 240W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-3P

Pacchetto / caso : TO-3P-3, SC-65-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FQA1 , FQA10N

Documenti per FQA10N80_F109

Schede tecniche : FQA10N80_F109.pdf

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