PMT200EN,115 - MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73

codice articolo del costruttore

PMT200EN,115

Numero parte interna

ABC-PMT200EN,115

fabbricante

NXP USA Inc.

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

46124 Pieces

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Specifiche per PMT200EN,115

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : PMT200EN,115

fabbricante : NXP USA Inc.

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1.8A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 235 mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 475pF @ 80V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 800mW (Ta), 8.3W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-223

Pacchetto / caso : TO-261-4, TO-261AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : PMT2 , PMT200

Documenti per PMT200EN,115

Schede tecniche : PMT200EN,115.pdf

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