STB9NK80Z - MOSFET N-CH 800V D2PAK

codice articolo del costruttore

STB9NK80Z

Numero parte interna

ABC-STB9NK80Z

fabbricante

STMicroelectronics

Breve descrizione

MOSFET N-CH 800V D2PAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

337855 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per STB9NK80Z

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : STB9NK80Z

fabbricante : STMicroelectronics

Descrizione : MOSFET N-CH 800V D2PAK

Serie : Automotive, AEC-Q101, SuperMESH™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 5.2A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 Ohm @ 2.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1138pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 125W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : D2PAK

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : STB , STB9

Documenti per STB9NK80Z

Schede tecniche : STB9NK80Z.pdf

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