QS8K11TCR - 4V DRIVE NCHNCH MOSFET

codice articolo del costruttore

QS8K11TCR

Numero parte interna

ABC-QS8K11TCR

fabbricante

Rohm Semiconductor

Breve descrizione

4V DRIVE NCHNCH MOSFET

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

2224040 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per QS8K11TCR

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : QS8K11TCR

fabbricante : Rohm Semiconductor

Descrizione : 4V DRIVE NCHNCH MOSFET

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : -

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 3.3nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 180pF @ 10V

Potenza - Max : 1.5W

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore : TSMT8

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : QS8 , QS8K

Documenti per QS8K11TCR

Schede tecniche : QS8K11TCR.pdf

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