FDS6930B - MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC

codice articolo del costruttore

FDS6930B

Numero parte interna

ABC-FDS6930B

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

quantità disponibile

2209032 Pieces

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Specifiche per FDS6930B

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FDS6930B

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC

Serie : PowerTrench®

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 5.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 38 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 3.8nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 412pF @ 15V

Potenza - Max : 900mW

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOIC

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per FDS6930B

Schede tecniche : FDS6930B.pdf

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