SQ3418AEEV-T1_GE3 - MOSFET N-CHANNEL 30V 7.8A 6TSOP

codice articolo del costruttore

SQ3418AEEV-T1_GE3

Numero parte interna

ABC-SQ3418AEEV-T1_GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET N-CHANNEL 30V 7.8A 6TSOP

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1478421 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per SQ3418AEEV-T1_GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SQ3418AEEV-T1_GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET N-CHANNEL 30V 7.8A 6TSOP

Serie : TrenchFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 7.8A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 370pF @ 15V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 4W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 6-TSOP

Pacchetto / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SQ341 , SQ3418AE

Documenti per SQ3418AEEV-T1_GE3

Schede tecniche : SQ3418AEEV-T1_GE3.pdf

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