BSC0911NDATMA1 - MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON-8

codice articolo del costruttore

BSC0911NDATMA1

Numero parte interna

ABC-BSC0911NDATMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON-8

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

813841 Pieces

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Specifiche per BSC0911NDATMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : BSC0911NDATMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON-8

Serie : OptiMOS™

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Caratteristica FET : Logic Level Gate, 4.5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss) : 25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 18A, 30A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.2 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1600pF @ 12V

Potenza - Max : 1W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TISON-8

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : BSC0 , BSC0911

Documenti per BSC0911NDATMA1

Schede tecniche : BSC0911NDATMA1.pdf

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