SI5997DU-T1-GE3 - MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK CHIPFET

codice articolo del costruttore

SI5997DU-T1-GE3

Numero parte interna

ABC-SI5997DU-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK CHIPFET

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

54418 Pieces

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Specifiche per SI5997DU-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SI5997DU-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK CHIPFET

Serie : TrenchFET®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : 2 P-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 54 mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 14.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 430pF @ 15V

Potenza - Max : 10.4W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : PowerPAK® ChipFET™ Dual

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® ChipFet Dual

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SI599 , SI5997D

Documenti per SI5997DU-T1-GE3

Schede tecniche : SI5997DU-T1-GE3.pdf

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