EDB8164B4PR-1D-F-D - IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
Breve descrizione
IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per EDB8164B4PR-1D-F-D

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : EDB8164B4PR-1D-F-D
fabbricante : Micron Technology Inc.
Descrizione : IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo di memoria : Volatile
Formato di memoria : DRAM
Tecnologia : SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria : 8Gb (128M x 64)
Frequenza di clock : 533MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina : -
Tempo di accesso : -
Interfaccia di memoria : Parallel
Tensione - Fornitura : 1.14V ~ 1.95V
temperatura di esercizio : -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 216-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore : 216-FBGA (12x12)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : EDB816 , EDB8164B4

Documenti per EDB8164B4PR-1D-F-D

Schede tecniche : EDB8164B4PR-1D-F-D.pdf

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