NCV5701CDR2G - HIGH CURRENT IGBT GATE DR

codice articolo del costruttore

NCV5701CDR2G

Numero parte interna

ABC-NCV5701CDR2G

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

HIGH CURRENT IGBT GATE DR

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

732564 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per NCV5701CDR2G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : NCV5701CDR2G

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : HIGH CURRENT IGBT GATE DR

Serie : *

Stato parte : Active

Configurazione guidata : -

Tipo di canale : -

Numero di driver : -

Gate Type : -

Tensione - Fornitura : -

Tensione logica - VIL, VIH : -

Corrente - Uscita di picco (sorgente, lavello) : -

Tipo di input : -

Tensione lato alto - Max (Bootstrap) : -

Rise / Fall Time (Typ) : -

temperatura di esercizio : -

Tipo di montaggio : -

Pacchetto / caso : -

Pacchetto dispositivo fornitore : -

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : NCV5 , NCV570

Documenti per NCV5701CDR2G

Schede tecniche : NCV5701CDR2G.pdf

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