IXFH9N80Q - MOSFET N-CH 800V 9A TO-247

codice articolo del costruttore

IXFH9N80Q

Numero parte interna

ABC-IXFH9N80Q

fabbricante

IXYS

Breve descrizione

MOSFET N-CH 800V 9A TO-247

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

96792 Pieces

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Specifiche per IXFH9N80Q

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IXFH9N80Q

fabbricante : IXYS

Descrizione : MOSFET N-CH 800V 9A TO-247

Serie : HiPerFET™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 9A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.1 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 56nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2200pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 180W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-247AD (IXFH)

Pacchetto / caso : TO-247-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IXF , IXFH

Documenti per IXFH9N80Q

Schede tecniche : IXFH9N80Q.pdf

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