RN2712JE(TE85L,F) - TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

codice articolo del costruttore

RN2712JE(TE85L,F)

Numero parte interna

ABC-RN2712JE(TE85L,F)

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

7422324 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per RN2712JE(TE85L,F)

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : RN2712JE(TE85L,F)

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Serie : -

Stato parte : Active

Transistor Type : 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)

Corrente - Collector (Ic) (Max) : 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 50V

Resistor - Base (R1) : 22 kOhms

Resistor - Emitter Base (R2) : -

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 120 @ 1mA, 5V

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Limite del collettore (max) : 100nA (ICBO)

Frequenza - Transizione : 200MHz

Potenza - Max : 100mW

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : SOT-553

Pacchetto dispositivo fornitore : ESV

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : RN271 , RN2712JE

Documenti per RN2712JE(TE85L,F)

Schede tecniche : RN2712JE(TE85L,F).pdf

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