IPG20N06S3L-23 - MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8

codice articolo del costruttore

IPG20N06S3L-23

Numero parte interna

ABC-IPG20N06S3L-23

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

51142 Pieces

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Specifiche per IPG20N06S3L-23

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IPG20N06S3L-23

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8

Serie : OptiMOS™

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 42nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2950pF @ 25V

Potenza - Max : 45W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TDSON-8-4

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IPG2 , IPG20N0

Documenti per IPG20N06S3L-23

Schede tecniche : IPG20N06S3L-23.pdf

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