F1T6GHR0G - DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1

codice articolo del costruttore

F1T6GHR0G

Numero parte interna

ABC-F1T6GHR0G

fabbricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

12003110 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per F1T6GHR0G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : F1T6GHR0G

fabbricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descrizione : DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1

Serie : Automotive, AEC-Q101

Stato parte : Active

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 800V

Corrente: media rettificata (Io) : 1A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 1A

Velocità : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : 500ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 5µA @ 800V

Capacità @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto / caso : T-18, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore : TS-1

Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 150°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : F1T , F1T6

Documenti per F1T6GHR0G

Schede tecniche : F1T6GHR0G.pdf

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