APTSM120TAM33CTPAG - POWER MODULE - SIC

codice articolo del costruttore

APTSM120TAM33CTPAG

Numero parte interna

ABC-APTSM120TAM33CTPAG

fabbricante

Microsemi Corporation

Breve descrizione

POWER MODULE - SIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

59073 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 304.6804~~

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Specifiche per APTSM120TAM33CTPAG

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : APTSM120TAM33CTPAG

fabbricante : Microsemi Corporation

Descrizione : POWER MODULE - SIC

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : 6 N-Channel (3-Phase Bridge)

Caratteristica FET : Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 112A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 33 mOhm @ 60A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 408nC @ 20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 7680pF @ 1000V

Potenza - Max : 714W

temperatura di esercizio : -40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Chassis Mount

Pacchetto / caso : SP6

Pacchetto dispositivo fornitore : SP6

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : APTSM1 , APTSM120T

Documenti per APTSM120TAM33CTPAG

Schede tecniche : APTSM120TAM33CTPAG.pdf

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