N0412N-S19-AY - MOSFET N-CH 40V 100A TO-220

codice articolo del costruttore

N0412N-S19-AY

Numero parte interna

ABC-N0412N-S19-AY

fabbricante

Renesas Electronics America

Breve descrizione

MOSFET N-CH 40V 100A TO-220

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

874958 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per N0412N-S19-AY

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : N0412N-S19-AY

fabbricante : Renesas Electronics America

Descrizione : MOSFET N-CH 40V 100A TO-220

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 100A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.7 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 100nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 5550pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1.5W (Ta), 119W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220

Pacchetto / caso : TO-220-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : N041 , N0412N

Documenti per N0412N-S19-AY

Schede tecniche : N0412N-S19-AY.pdf

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