DMG6602SVT-7 - MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6

codice articolo del costruttore

DMG6602SVT-7

Numero parte interna

ABC-DMG6602SVT-7

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

6199326 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per DMG6602SVT-7

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : DMG6602SVT-7

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6

Serie : -

Stato parte : Not For New Designs

Tipo FET : N and P-Channel

Caratteristica FET : Logic Level Gate, 4.5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3.4A, 2.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 400pF @ 15V

Potenza - Max : 840mW

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore : TSOT-23-6

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : DMG6 , DMG660

Documenti per DMG6602SVT-7

Schede tecniche : DMG6602SVT-7.pdf

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