1SS307E,L3F - DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79

codice articolo del costruttore

1SS307E,L3F

Numero parte interna

ABC-1SS307E,L3F

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

21894649 Pieces

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Specifiche per 1SS307E,L3F

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : 1SS307E,L3F

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79

Serie : -

Stato parte : Active

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 80V

Corrente: media rettificata (Io) : 100mA

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 100mA

Velocità : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr) : -

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 10nA @ 80V

Capacità @ Vr, F : 6pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : SC-79, SOD-523

Pacchetto dispositivo fornitore : SC-79

Temperatura operativa - Giunzione : 150°C (Max)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : 1SS , 1SS30

Documenti per 1SS307E,L3F

Schede tecniche : 1SS307E,L3F.pdf

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