TPN22006NH,LQ - MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON

codice articolo del costruttore

TPN22006NH,LQ

Numero parte interna

ABC-TPN22006NH,LQ

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

2052190 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 0.1595~~

Il nostro prezzo

- (Vi preghiamo di contattarci per un prezzo migliore: [email protected])

ABC Semiconductor ha TPN22006NH,LQ in magazzino per la vendita. Possiamo spedire entro 1-2 giorni. Vi preghiamo di contattarci per un prezzo migliore per TPN22006NH,LQ. La nostra email: [email protected]

Opzioni di spedizione e tempi di spedizione:: DHL: 2-3 days.; FEDEX: 2-3 days.; UPS: 2-4 days.; TNT: 3-5 days.; EMS: 5-8 days.; Normal Post: 10-15 days.

Opzioni di pagamento:: Paypal (Credit Card); Bank Transfer (Wire Transfer); Western Union; MoneyGram

Specifiche per TPN22006NH,LQ

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TPN22006NH,LQ

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON

Serie : U-MOSVIII-H

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 9A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 6.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 710pF @ 30V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 700mW (Ta), 18W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-TSON Advance (3.3x3.3)

Pacchetto / caso : 8-PowerVDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : TPN2 , TPN220

Documenti per TPN22006NH,LQ

Schede tecniche : TPN22006NH,LQ.pdf

Prodotti correlati per TPN22006NH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Numero parte	Marca	Descrizione
CDR33BP302AJWSAB	Vishay Vitramon	Ceramic Capacitors 3000PF 50V BP 1210.
WI140266WJ10336BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 10000PF 14KV SCREW.
WI140316WQ75236BJ3	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7500PF 22.5KV SCREW.
WF135272WL60236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 6000PF 16KV SCREW.
PZ0140WL10136CB1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 100PF 16KV DISK.
WF135285WP50236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 20KV SCREW.
WF110250WJ47238BJ2	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 4700PF 14KV SCREW.
CDR02BP221BKMSAB	Vishay Vitramon	Ceramic Capacitors 220PF 100V BP 1805.
TF170311WW40236BJ2	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 4000PF 32KV R85.
CDR31BP100BJZRAB	Vishay Vitramon	Ceramic Capacitors 10PF 100V BP 0805.
12065C223KHT1A	AVX Corporation	Ceramic Capacitors 0.022UF 50V X7R 1206.
WF135272WL60238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 6000PF 16KV SCREW.
WI106266WP40236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 4000PF 20KV SCREW.
WX095162WJ25236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 2500PF 14KV SCREW.
GRM0225C1E5R6DDAEL	Murata Electronics North America	Ceramic Capacitors 5.6PF 25V C0G/NP0 01005.
WF165270WJ75238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7500PF 14KV SCREW.
WF135250WL50236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 16KV SCREW.
WI085215WJ10238BH1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 1000PF 14KV SCREW.
WF135373BQ50238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 25KV SCREW.
WF095187WJ10238BH1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 1000PF 14KV SCREW.