APT34N80B2C3G - MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX

codice articolo del costruttore

APT34N80B2C3G

Numero parte interna

ABC-APT34N80B2C3G

fabbricante

Microsemi Corporation

Breve descrizione

MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

73701 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 5.71~~

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Specifiche per APT34N80B2C3G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : APT34N80B2C3G

fabbricante : Microsemi Corporation

Descrizione : MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 34A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 145 mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 355nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 4510pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 417W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : T-MAX™ [B2]

Pacchetto / caso : TO-247-3 Variant

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : APT3 , APT34N

Documenti per APT34N80B2C3G

Schede tecniche : APT34N80B2C3G.pdf

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