PMV130ENEA/DG/B2R - MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB

codice articolo del costruttore

PMV130ENEA/DG/B2R

Numero parte interna

ABC-PMV130ENEA/DG/B2R

fabbricante

Nexperia USA Inc.

Breve descrizione

MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

40638 Pieces

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Specifiche per PMV130ENEA/DG/B2R

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : PMV130ENEA/DG/B2R

fabbricante : Nexperia USA Inc.

Descrizione : MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB

Serie : Automotive, AEC-Q101

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.1A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 3.6nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 170pF @ 20V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 5W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-236AB

Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : PMV13 , PMV130EN

Documenti per PMV130ENEA/DG/B2R

Schede tecniche : PMV130ENEA/DG/B2R.pdf

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