RS1P600BETB1 - RS1P600BE IS A POWER MOSFET WITH

codice articolo del costruttore

RS1P600BETB1

Numero parte interna

ABC-RS1P600BETB1

fabbricante

Rohm Semiconductor

Breve descrizione

RS1P600BE IS A POWER MOSFET WITH

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

534030 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per RS1P600BETB1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : RS1P600BETB1

fabbricante : Rohm Semiconductor

Descrizione : RS1P600BE IS A POWER MOSFET WITH

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 17.5A (Ta), 60A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.7 mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 500µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 33nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2200pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 3W (Ta), 35W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-HSOP

Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : RS1P , RS1P60

Documenti per RS1P600BETB1

Schede tecniche : RS1P600BETB1.pdf

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