BST82,215 - MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23

codice articolo del costruttore

BST82,215

Numero parte interna

ABC-BST82,215

fabbricante

Nexperia USA Inc.

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

5105268 Pieces

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Specifiche per BST82,215

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : BST82,215

fabbricante : Nexperia USA Inc.

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23

Serie : TrenchMOS™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 190mA (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 Ohm @ 150mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 40pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 830mW (Tc)

temperatura di esercizio : -65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-236AB

Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per BST82,215

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