IMBD4448-HE3-18 - DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

codice articolo del costruttore

IMBD4448-HE3-18

Numero parte interna

ABC-IMBD4448-HE3-18

fabbricante

Vishay Semiconductor Diodes Division

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

16670479 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per IMBD4448-HE3-18

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IMBD4448-HE3-18

fabbricante : Vishay Semiconductor Diodes Division

Descrizione : DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Serie : Automotive, AEC-Q101

Stato parte : Active

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 75V

Corrente: media rettificata (Io) : 150mA

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1V @ 10mA

Velocità : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr) : 4ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 2.5µA @ 70V

Capacità @ Vr, F : -

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-23

Temperatura operativa - Giunzione : 150°C (Max)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IMBD4 , IMBD444

Documenti per IMBD4448-HE3-18

Schede tecniche : IMBD4448-HE3-18.pdf

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